常见问题-常见问题

Products (9)
DRAM (7)
Ddr4 sdram (11)
与DDR3相比,DDR4提供了哪些更新的省电功能?

DDR4在DDR3的基础上增加了几个新的省电功能,包括:

1. DQ引脚的低功率伪开漏驱动器

2. 可选ODT输入缓冲区禁用模式断电功能

3. 可选最省电模式功能

4. 可选命令地址延迟(CAL)

DDR4可以在较慢的DDR3速度下运行吗?

DDR4向后兼容远至DDR3-1333. 对于不需要提高DDR3-1333和DDR3-1600以上速度的系统, DDR4可以以更低的功耗支持这些较慢的带宽需求.

DDR4设备在哪里制造?

DDR4在世界各地的美光晶圆厂生产,包括弗吉尼亚州、日本和台湾.

DDR3有什么功能被DDR4取消了吗?

Not really; however, DDR4 does not require an external VREFDQ,但它确实提供了一个内部生成的VREFDQ 需要由DRAM控制器进行校准.

DDR4是否使用与DDR3相同的信令协议?

Not exactly.  DDR4仍然在数据总线上使用VTT中点终端,以获得良好的信号质量, 然而,与全推挽驱动器相比,它使用伪开漏驱动器来减少开关电流.

DDR4是否使用与DDR3相同的电源?

不,DDR3需要VDD and VDDQ equal to 1.5V, VREFCA equal to 0.5 x VDD, and VREFDQ equal to 0.5 x VDDQ,而DDR4则需要VDD and VDDQ equal to 1.2V, VREFCA equal to 0.5 x VDD, and VPP equal to 2.5V.

什么是DDR4的VPP供应,为什么DDR4有它?

VPP电源取代了早期版本DDR SDRAM(包括DDR3)中存在的内部字线电荷泵. 与提供内部电荷泵相比,在外部提供这种电压可以使DDR4以更经济有效的方式在较低的电压水平下工作.

DDR3和DDR4引脚对引脚是否相互兼容?

不,DDR4和DDR3是不一样的. 然而,DDR4使用与DDR3相同的封装尺寸和球间距.

DDR4的数据速率是ddr3的两倍,预取也从8n增加到16n?

No, DDR4 kept the 8n-bit prefetch used by DDR3; thus, BL8 is still supported.

DDR4最终添加边界扫描或JTAG支持了吗?

DDR4现在有一个连接测试模式,以简化边界扫描启用控制器的测试. 设计用于边界扫描设备, 所有Micron沙巴体育结算平台均支持CT模式×4, ×8, 和×16设备(虽然JEDEC只要求x16). CT模型允许边界扫描装置在CT模式下从DDR4加载和读取模式. DDR4不直接支持IEEE 1149.1.

DDR4是否支持较慢时钟速率的DLL禁用模式或DLL关闭模式?

是的,DDR4支持DLL关闭模式,类似于DDR3中的DLL禁用模式,最高可达125 MHz

Ddr3 sdram (15)
DDR3电压是否向后兼容?

是的,所有的1.35V部件向后兼容1.5V.

我可以在时钟速度低于300兆赫的情况下运行美光的DDR3内存吗?

Yes. Micron支持使用模式寄存器禁用DLL的可选功能, 调用DLL禁用模式. 该特性允许DRAM在低于125 MHz的频率下工作, 然而,计时仍然必须满足刷新间隔. 在DLL禁用模式下操作时, 特殊条件适用-请参阅设备数据表了解详细信息和限制.

如何确定CAS WRITE延迟(CWL)?

在DDR3中,对于给定的时钟频率范围,只有一个CWL是有效的. - tCKavg = 2.5ns to <3.3ns, CWL = 5 - tCKavg = 1.875ns to <2.5ns, CWL = 6 - tCKavg = 1.5ns to <1.875ns, CWL = 7 - tCKavg = 1.25ns to <1.5ns, CWL = 8

什么成分密度可用?

美光支持1Gb、2Gb、4Gb和8Gb密度.

什么是爆破劈??

由于在DDR3中使用8n预取架构,真正的突发长度为4 (BL4)是不可能的. 突发切割模式在DDR3中可用,以帮助缓解这种情况, 并且在较新的dram中也可用. 在DDR3中使用突发切碎,突发的最后4位基本上是被掩盖的. 爆发斩4 (BC4)的计时不能被当作真正的BL4. 的读与写, 选择写入读取, 并选择WRITE-to-PRECHARGE转换, 系统可以在BC4模式下实现时钟节约. 在进行读到读或写到写转换时, timing must be treated like BL8; no clock savings will be realized.  DDR3只支持BC4或BL8, 尽管也有一个即时(OTF)选项,通过地址引脚A12在它们之间切换.  有关更多细节,请参阅设备数据表.

什么是动态ODT?

动态ODT (Rtt_WR)使DRAM能够在WRITE期间改变终止值,而无需执行MODE REGISTER SET命令. 当Rtt_Wr和Rtt_Nom同时启用时, DRAM将在WRITE突发开始时将终止值从Rtt_Nom更改为Rtt_Wr. 一旦突发完成,终止将被更改回Rtt_Nom值. Rtt_Wr可以独立于Rtt_Nom使用,但是只在写时终止.

ZQCL和ZQCS命令有什么区别?

ZQCL表示ZQ校准长. 该命令必须在上电和初始化过程中发出,需要512个时钟才能完成. 在上电和初始化之后,可以在DRAM空闲时发出该命令. 这些后续命令只需要246个时钟. 当需要的阻抗纠错比ZQCS所能提供的更多时,使用此命令. ZQCS是ZQ校准的缩写. 该命令可以在DRAM空闲时执行. 一个ZQCS最小可以校正0.5%的阻抗误差,需要64个时钟.

什么是“MPR”??

MPR是一个多用途寄存器. 它是一种专门的寄存器,用于允许从DRAM中读出预定义的数据. 数据为一位宽,并在素数DQ上输出. 对于美光DDR3部件,主要dq为x4/x8的DQ0和x16的DQ0/DQ8. 在MPR中定义了两个位置. 一个允许读出预定义的数据爆发——在本例中为01010101. 另一个位置用于从片上热传感器输出刷新跳闸点.

工作电压是多少?

DDR3在Vdd = VddQ = 1时运行.5V ±0.075V. DDR3L在Vdd = VddQ = 1时工作.35V (1.283–1.45V) 

DDR3的输出驱动阻抗是多少?

DDR3的默认输出驱动器阻抗为34欧姆. 阻抗是基于外部240欧姆电阻RZQ的校准.

RESET#引脚的作用是什么?

RESET#是DRAM的主复位. 它是一个活动LOW,异步输入. 当复位#被断言时,DRAM输出被禁用,ODT将关闭(High-Z). DRAM计数器、寄存器和数据将是未知的. RESET必须作为上电和初始化顺序的一部分执行. 在此过程中,RESET#必须保持低电平至少200µs. 在上电和初始化之后,RESET#可以在任何时候断言. 曾经断言, 它必须保持低电平至少100ns,然后必须对部件进行完全初始化.

什么是“写平”??

改善信号, DDR3模块的指令采用了fly-by技术, addresses, 控制信号, and clocks. 由于信号路由, 这种技术在DRAM的时钟和DQ总线之间存在固有的时间倾斜. 写调平是系统控制器在DRAM上使DQ频闪(DQS)与时钟关系不倾斜的一种方法. 由DRAM提供的简单反馈功能允许控制器检测歪斜量并相应地进行调整.

什么是“ZQ校准”?

ZQ校准命令可以在进程中校准DRAM的输出驱动(Ron)和ODT值(Rtt), voltage, 当一个240欧姆(±1%)的专用电阻从DRAM的ZQ引脚连接到地时,温度. In DDR3, 存在两种不同的校准命令:ZQ长校准(ZQCL)和ZQ短校准(ZQCS). ZQCL通常用于上电初始化和复位序列, 但可由总监随时发出, 取决于系统环境. ZQCS is used to perform periodic calibrations to account for small voltage and temperature variations; it requires a smaller timing window to complete.

DDR3提供了什么终止值?

DDR3支持的RTT_nom值为120、60、40、30和20欧姆. 动态ODT值(RTT_WR)为120欧姆和60欧姆.

美光是否支持DDR3的扩展温度范围?

Yes. 美光DDR3部件将支持0°C至95°C的温度.

Ddr2 sdram (9)
DDR2-1066可以用两个插槽吗?

Using DDR2-1066 with two slots is unrealistic; simulations have not shown acceptable margins.

片上终止(ODT)如何影响功耗?

片内终端(ODT)功率非常依赖于应用. ODT也是可变的,取决于DRAM的EMR中的设置. 使用DDR2功率计算器来确定这些值.

在点对点系统中, ODT只在WRITE周期中是活动的, 并且在空闲和读周期期间不会消耗功率. 在这些情况下,机载终止将消耗电力. 在典型应用中,ODT功率应该是DDR2 DRAM总功率的2 - 3%左右.

Vref电源引脚的功耗是多少?

Vref引脚不输出任何功率,只输出小于5µA的漏电流.

VREF是否允许在自我刷新模式下浮动?

不,它必须保持在VDDQ/2.

DDR2 SDRAM应该总是打开ODT吗?

It’s not recommended, as the SDRAM reads will lose voltage margin; but technically, it is allowed.

DLL可以在DDR2中禁用吗? DDR2可以放入类似DDR3的DLL禁用模式吗?

虽然在某些情况下,DRAM可以在DLL关闭的情况下工作, JEDEC没有记录也不支持这种操作模式. 因此,当配置为在禁用DLL的情况下运行时,每种DRAM设计的行为可能不同. Micron不支持或保证禁用DLL的操作. 在禁用DLL的情况下运行DRAM可能会导致设备故障和/或违反一些DRAM输出时序规范.

DDR2 RDQS引脚是干什么用的?

RDQS的唯一目的是支持在基于x4的RDIMM系统中使用基于x8的RDIMM. RDQS引脚使x8 DDR2 SDRAM能够模拟两个x4.

当DDR2与单端DQS一起使用时,DDR2的最大时钟速率是多少?

答案取决于设计实现. 数据设置和保持时间应该设计为150ps或更多的余量.  数据表中有单端DQS摆率降额表,必须用于评估时序. 建议在计算时充分分析时间, 以及使用信号完整性仿真和硬件表征.

是否可以运行时钟频率低于DDR2数据表中指示的频率?

对于READ操作,DRAM将频闪器与数据沿边对齐. 大多数控制器通过感应频闪器来确定数据窗口的位置. 这种精细的频闪/数据对齐要求每个DRAM都有一个内部DLL. DLL被调整为在有限的频率范围内运行, 在每个DRAM数据表中标识的是什么. 在这些指定的限制之外运行DRAM可能会导致DLL变得不可预测. 对DRAM进行测试,使其在数据表限制范围内运行. 美光不建议或保证DRAM运行超出这些预定义的限制.

DDR sdram (10)
用速度更快的-5B速度级部件替换-6或-6T速度级DDR部件是否不会遇到2的问题.6V operation? 客户能否以较慢的速度运行零件?

是的,所有速度等级都是向后兼容的. 因此,-5B可以在-6T时序和-6T电压水平(2)下运行.5V). 在DDR400速度下,美光部件要求(符合JEDEC标准)Vdd = VddQ = 2.6V ±0.1V. 低速等级(DDR333至DDR200), Micron部件是向后兼容的, 只要求Vdd = VddQ = 2.5V ±0.2V.

我是否需要一个单独的稳压器来提供Vref电源?

不需要使用单独的调节器来为美光的DDR SDRAM提供Vref. However, 因为Vref是所有单端输入的参考电压, 由于与其他I共用稳压器而产生的任何噪声.C.在电路板上或使用VDD电源的分压器, 会直接影响这些输入的噪声裕度吗. 许多多滴系统已经为DDR存储器指定了一个电压调节器. 其他集成点对点存储器的系统通常在VDD和VSS之间使用简单的分压器电阻网络.  系统设计者应该评估每个特定系统的优先级和权衡,并使用最适合系统的电源方案. 

美光计划支持3多长时间.3V SDRAM?

美光正在支持并计划支持SDR数年. 有关更多信息,请与您当地的美光销售代表联系.

美光计划支持DDR多长时间?

美光已经支持并计划支持DDR数年. 有关更多信息,请与您当地的美光销售代表联系.

在自我刷新期间需要VREF吗? 我想把DDR内存在自我刷新模式,并关闭电源到CPU(系统是电池操作). 我可以禁用VREF,仍然有正确的自我刷新操作?

Yes. 在自我刷新期间需要VREF. 在自我刷新模式下,所有DDR组件的片上地址计数器仍在运行, 因此VDD必须保持在规定的数据表限制内. 同样,在DDR内存进入自我刷新模式后,不能禁用VREF. 这样做很容易导致无意中退出自我刷新. You should understand that VREF draws almost no power; any current drawn by VREF is negligible when compared to VTT and the core VDD. DDR元件通常使用差分对共源放大器作为其SSTL_2输入接收器. 由于VREF引脚主要用作该电路的输入,因此其电流消耗很低. It is so low, in fact, 器件的输入漏电流(~5µA)可视为VREF引脚的最大电流要求. 典型的VTT电源来自电路板上的其他地方,除了DRAM设备外,还取决于模块/系统上使用的其他组件.

在DDR上,当超过DQS写postamble (tWPST)最大规范时会发生什么? 这会造成什么问题呢?

tWPST最大规格不是设备限制. 设备将以更大的值运行此参数, 但是系统性能(总线周转)会相应降低.

在DRAM上,可以给出一个READ或WRITE命令而不是刷新吗?

如果在刷新时间(tREF)内读取或写入所有不同的行地址, 不需要执行刷新. (不同的行地址是与REFRESH周期数相同的行数. 例如,在8,192/64ms的情况下,行数等于8,192.) With DRAM, 选择行地址会导致与刷新相同的操作, 因此不需要执行REFRESH命令.

在DRAM上,可以让未使用的DQ(数据)引脚保持浮动吗?

美光公司建议将未使用的数据引脚设为HIGH或LOW. 因为美光在DRAM制造中使用CMOS技术, 让它们浮动可能会使引脚容易受到噪声的影响,并产生随机的内部输入电平. 未使用的引脚可以通过电阻连接到VDD或接地.

无连接(NC)、无功能(NF)和无使用(DNU)引脚之间有什么区别? 如何处理与它们的外部连接?

NC(无连接)引脚表示不存在或不允许内部连接的设备引脚. 美光公司建议不要在这个引脚上进行外部连接. 但是,如果无意中建立了连接,则不会影响设备的运行. 有时NC引脚可以保留以备将来使用. 参考零件的数据表确认是否保留引脚以备将来使用. NF(无功能)引脚是指与设备电连接,但其信号在设备运行中不起作用的设备引脚. 美光强烈建议不要与此引脚进行外部连接. DNU(禁止使用)引脚指的是一种设备引脚,它可以有内部连接,也可以没有内部连接,但不允许与外部连接. 美光要求没有外部连接到这个引脚. 有关详细信息,请参阅该部件的数据表.

保证DDR SDRAM功能的最高结温是多少?

请参阅美光沙巴体育安卓版下载热应用的技术说明第3页: TN-00-08. 如果功能或操作不是问题, 请参阅零件数据表上的存储温度规格限制.

SDRAM (3)
在整个SDRAM操作(初始化和正常操作)中,CKE是否可以被绑定为HIGH ??

JEDEC does not specify the exact state of CKE during initialization; it is supplier specific. 美光强烈建议在应用稳定的CLK信号之前,将CKE保持在LVTTL逻辑低电平. 正常工作时,CKE可以被绑定到HIGH. CKE的初始LOW状态防止部件接收非法LMR命令, 哪一个因素会使零件处于未知或意外的状态.

是否可以修改SDRAM时钟频率?

Micron SDR SDRAM数据表要求时钟频率在访问或预充电状态时保持恒定. However, 因为SDRAM中没有DLL, 可以动态地移动时钟频率, 尽管美光不建议这样做. 如果设计需要移动频率, 降低SDRAM频率可能是可以的, 即使您没有进行LMR和CAS延迟更改. 在频率增加的情况下,确保满足tCK和CAS延迟规范. 在任何一种情况下,必须始终遵守所有其他数据表时间规范.

SDR SDRAM有最小时钟频率吗?

因为SDR SDRAM没有DLL,所以没有最小时钟频率.  However, 如果设备的时钟频率较低, 在时钟边缘保持一个合理的快速转换率以避免设置和/或保持时间违规的风险仍然很重要. 同样,对于45 MHz的工作频率,tCKS = 3.0ns. 有关更多信息,请参阅SDRAM反转率违规的LVTTL降额(TN-48-09).

RLDRAM (6)
CK/ ck#和DK/DK#是真差分输入吗?

是的,CK/ ck#和DK/DK#输入缓冲器是真正的差分输入. 这两组时钟都需要满足RLDRAM数据表中的时钟输入操作条件表中定义的规格.

我可以将“禁止使用”(DNU)引脚连接到地(GND)吗??

Yes. 但是,当片上终止(ODT)被启用时,DNU引脚将连接到VTT. 在这种情况下,将DNU引脚连接到GND将导致VTT电源的负载大大增加.

RLDRAM II内存与SRAM有何相似之处?

 简化的命令集,只有四个命令和快速的周期时间,低至7ns tRC

我听说了RLDRAM 3上新的多银行写入特性. 这个特性到底是什么?

多银行写是一种允许类似sram的随机读访问时间的特性. Using this feature can reduce RLDRAM 3’s already low tRC (<10ns) by up to 75% during reads. 通过RLDRAM的3模式寄存器, 你可以选择给一个人写信, two, 或者同时四家银行. 通过在多个银行中存储相同的数据, 存储器控制器可以灵活地决定从哪个银行读取数据,以最小化tRC延迟.

RLDRAM 3增加了哪些新功能?

 多银行写入,支持类似sram的随机读取功能. MULTIBANK REFRESH使管理刷新开销比以往更加灵活, 允许同时刷新一到四个银行. RLDRAM3还支持镜像功能,以简化翻盖设计的布局.

我是否能够利用任何现有的DRAM技术来简化在我的系统中采用RLDRAM 3?

Yes. 尽管RLDRAM 3是一种新的架构, 它利用了DDR3和RLDRAM 2的许多特性,使采用和集成尽可能容易. 命令协议, addressing, 和频闪方案与RLDRAM 2相同, 而I/O, AC timing, 读取训练寄存器与DDR3非常相似.

LPDRAM (11)
美光的LPDRAM沙巴体育结算平台是否符合绿色/RoHS标准?

Yes. 美光的绿色工程项目符合rohs标准,并符合世界上大多数新兴的环境标准, 包括亚洲和欧洲.

您的LPDRAM部件是否符合jedec标准?

我们设计的零件满足或超过JEDEC规格. 随着标准的变化,我们将做出必要的改变,以确保我们的零件符合新的规格. 任何变更都将在沙巴体育结算平台变更通知(PCN)中注明,并发送给我们的客户.

LPDDR4X与LPDDR4有何不同?
VDDQ从1减小.1V to 0.LPDDR4X为6V,进一步降低LPDDR4的功率. LPDDR4X的最大数据速率与LPDDR4相同,为4266Mbos/pin. LPDDR4X支持单端CK/DQS特性.
LPDDR5与LPDDR4X有何不同?

LPDDR5每引脚最大数据速率为6400Mbps,为1.比LPDDR4快5倍. 最大数据速率4266Mbps,同时提高能效(pJ/bit). LPDDR5中引入了许多降低功耗的特性. 请参阅下面的技术说明.

TN-62-02: LPDDR5接口: LPDDR5接口描述,与LPDDR4X的区别
Rev. A – 4/19

TN-62-03: LPDDR5培训: LPDDR5 SDRAM培训概览
Rev. A – 5/19

n -62-04: LPDDR5时钟: LPDDR5时钟的描述,包括与LPDDR4的简要比较.
Rev. A – 5/19

n -62-06: LPDDR5架构: LPDDR5架构的总体概述
Rev. A – 7/19

TN-62-07: LPDDR5 ZQ校准: LPDDR5 ZQ校准概述
Rev. A – 12/19

[cn . 62 . 08] [au::我不知道
Rev. A – 7/19

移动LPDRAM、汽车LPDRAM和嵌入式LPDRAM之间的区别是什么?

骰子没有区别. 我们选择添加“移动”, “汽车”和“嵌入式”前缀到我们的LPDRAM沙巴体育结算平台线,以配合每个细分市场. Mobile指的是智能手机和平板电脑等便携式设备. Automotive是指与机动车辆有关的装置. 嵌入式是为专用计算机系统设计的一种或两种特定功能的设备, 不像通用计算机. 在嵌入式应用中, 该设备作为一个完整的设备系统的一部分嵌入, for example, 变成数字电视, a camera, 还有一个机顶盒, etc. 每个细分市场都有不同的沙巴体育结算平台要求,例如在零件号中注明的操作温度. 请参考每个数据表了解实际工作温度范围.

操作温度
空白=商业温度
工业温度
汽车温度
无线温度
XT =宽温度
超温度
ET =极端温度

美光的LPDRAM比标准DRAM贵吗?

It depends. 密度在LPDRAM和标准SDR/DDR之间的价格比较中起着重要作用. Also, 因为LPDRAM在x16的标准配置中提供, x32 and x64, 如果您的应用程序目前使用两个x16组件来支持x32总线,那么您可能能够降低总体BOM成本. 您可以使用一个x32 LPDRAM,而不是两个x16标准DRAM. 有关费用信息,请与当地代表联系.

LPDDR3与DDR3L-RS有何不同?

LPDDR3优化了电池寿命和便携性. DDR3L- rs是DDR3L芯片的低IDD6版本,提供了价格与性能的平衡, 以及改进的待机功率.

我使用的部分是过时的,替换是一个更快的速度等级. 我可以以较低的速度运行LPDRAM部件吗?

Yes. LPDRAM部件可以以等于或低于其额定速度等级的任何速度运行.

什么是LPDRAM?

优化的沙巴体育结算平台,其中功耗是一个问题, 我们的低功耗LPDRAM器件结合了领先的技术和封装选项,以满足空间要求并延长电池寿命. LPDRAM具有DDR/SDR接口.

美光LPDRAM沙巴体育结算平台的预期寿命是多少?

我们对这个快速增长的市场感到兴奋. 我们计划在未来的许多年里制造LPDRAM,并计划继续缩小我们的设计以实现更高的密度.

美光LPDRAM的独特之处?

我们提供全面的LPDRAM沙巴体育结算平台组合, 具有广泛的密度和封装选项(包括jedec标准的FBGA), xMCP, 和package-on-package). 凭借美光丰富的LPDRAM经验, 我们的全球技术支持团队可以为您提供所需的专业知识和帮助,使您的设计更快地推向市场.

DRAM模块(3)
在我的系统设计中,Vtt和Vref可以用同一个电源供电吗?
通过适当的解耦,这是一个可以接受的设计. 然而,美光建议确保所有的供应都是分开的. Vref往往有更多的噪声,因为它提供的信号是有规律的切换. 稳健的设计通常不会连接这些电源,因为有可能将这种噪声引入Vtt平面,而Vtt平面应该尽可能稳定. 此外,Vref比Vtt需要更少的电流.
在设计使用特定模块技术和外形因素的系统时,是否有一套标准的走线长度和路由规则?
No. 为了确定最佳的跟踪长度,必须模拟包括使用1个或多个内存模块的健壮的内存子系统设计, terminations. 但是,我们的设计指南,如 TN-47-01 and TN-41-08 有一些基于典型系统假设的最佳实践和设计示例吗. 这些信息并不是设计系统的唯一方法. 它是一个起点,而且是用于确定系统最佳设计的步骤的示例.
NVDIMM (8)
什么是NVDIMM?

NVDIMM是一种结合NAND闪存的非易失性持久存储解决方案, DRAM和一个可选电源组成一个单一的存储器子系统. 美光的NVDIMM能够提供DRAM的性能水平,同时具有NAND的持久可靠性, 确保存储在内存中的数据不受断电的影响.

nvdimm是如何工作的?

nvdimm位于服务器的DRAM内存槽位,以DRAM的速度执行工作负载. 在电源故障或系统崩溃的情况下, 板载控制器将存储在DRAM中的数据安全地传输到板载非易失性存储器, 从而保留了否则可能丢失的数据. 当系统恢复稳定时, 控制器将数据从NAND传输回DRAM, 允许应用程序有效地从中断的地方恢复.

什么是持久记忆?

持久内存是内存/存储层次结构的新成员,它通过提供非易失性来实现数据管理的更大灵活性, 更靠近处理器的低延迟内存. Essentially, 持久性内存通过消除标准存储技术施加在应用程序上的限制I/O瓶颈来加速应用程序性能. 通过在DRAM总线上放置非易失性存储器, 这种架构使客户能够显著优化数据移动,以便更快地访问存储在DRAM中的变量.

拥有持久的记忆, 在访问必须保留的关键数据时,系统架构师不再被迫牺牲延迟和带宽. 关键数据可以存储在靠近处理器的地方,大大缩短了访问时间. 持久内存提供了独特的延迟平衡, bandwidth, 容量和成本, 为关键数据提供类似dram的超高速访问,使系统设计人员能够更好地管理总体成本.

NVDIMM的主要用例是什么?

任何性能取决于存储在非易失性介质(HDD或SSD)中的变量的应用程序都可以从nvdimm中受益(大多数应用程序都可以加速)。. 持久变量包括元数据日志, 检查点状态, 主机写缓存, 写缓冲区, 日记账和一般日志. 可以通过在NVDIMM中放置这些变量来加速的应用程序包括2节点, 使用RAID卡的高可用性存储, SSD mapping, ssd的RAMDisk和写缓存.

今天有什么沙巴体育结算平台?

美光将提供三款DDR4 NVDIMM沙巴体育结算平台:

  1. 8GB DDR4 NVDIMM与旧固件
  2. 8GB DDR4 NVDIMM,带有JEDEC固件
  3. PowerGEM®超级电容,用于8GB NVDIMM

遗留固件和JEDEC固件之间有什么区别?

遗留固件是指由AgigA Tech确定的固件功能和控制器寄存器位置, Inc.,用于初始DDR4 NVDIMM设计. JEDEC现在已经标准化了NVDIMM固件的功能, 寄存器位置和api,以便一个供应商的NVDIMM可以与任何其他供应商的NVDIMM兼容. 所有新的美光NVDIMM解决方案都将利用JEDEC固件接口.

如何启用nvdimm? 哪些平台支持NVDIMM?

如今,许多主板、服务器和存储设备都支持nvdimm. 2016年将有更多的此类沙巴体育结算平台上市. 请与您的供应商联系以获取更多细节.

NVDIMM对软件是否有要求?

nvdimm支持块模式或直接访问驱动程序. 与块模式驱动程序一起使用的nvdimm与操作系统和应用程序兼容,几乎不需要对软件进行修改. 通过利用带有直接映射驱动程序的NVDIMM,可以获得额外的性能, 但操作系统和应用软件可能需要一些修改. 美光目前正在与主要的oem和软件公司合作,以整合NVDIMM硬件, 驱动程序和软件支持纳入其主流沙巴体育结算平台.

NAND闪存(17)
eMMC (14)
What is e.MMC?

嵌入式多媒体卡(e.MMC是JEDEC定义的基于NAND闪存的存储解决方案,采用小型BGA封装. JEDEC定义了硬件和软件, 支持轻松的客户设计和多源能力.

e的好处是什么.MMC?

e.MMC是一个完全管理的解决方案(所有媒体管理和ECC都在内部处理), 使NAND技术的转变对主机不可见,并为客户提供缩短沙巴体育结算平台上市时间的能力,并使沙巴体育结算平台的维护时间更长,更容易.

“广阔市场”是什么意思?

我们的嵌入式市场.MMC沙巴体育结算平台分为两大家族:汽车和广阔市场. This is due to the unique requirements that are required in the automotive market; thus, 还有一条独立的沙巴体育结算平台线,由美光的汽车团队提供支持. 广大市场涵盖所有其他细分市场,如消费者, gaming, server, networking, industrial, medical, military, etc. 广大市场.MMC包括两个子家族:具有商业温度等级的WT和具有扩展温度范围的IT.

我怎样订购样品?

您可以通过网站订购样品 微米样品中心.

有必要参考JEDEC规范和美光的数据表吗?

是的,JEDEC规范必须与数据表一起阅读. Micron e.MMC complies with the JEDEC standard; hence, 美光的数据表提供的信息仅针对美光的电子沙巴体育结算平台.MMC devices.


有仿真模型吗??

是的,IBIS型号可用于WT和IT沙巴体育结算平台(JEDEC 153-/169球和100球)

e是什么?.MMC提供工业应用?

美光为工业客户提供广泛的解决方案, 如五密度和jedec标准BGA 153-/169球和定制100球包装. 所有这些沙巴体育结算平台将在-40°至85°C的扩展温度范围内工作.

100球IT的优势是什么.MMC?

美光的100球e.MMC BGA包的特点是1.0毫米球距,简化电路板布线(节省PCB成本),提高板级可靠性(温度循环). 该解决方案对汽车、工业和网络细分市场特别有吸引力. 有关其他好处,请参见下表.

100球的特点.MMC

Benefits

Large 1.0毫米球距

  • 允许低成本的PCB走线/空间设计
  • 简化PCB布线
  • 减少PCB层数
  • 通过更小的钻头尺寸降低成本
  • 较低的DAR(钻径比)可获得更好的PCB产量
  • 允许更宽的走线,以获得更好的散热

Large 0.45mm公称球径

  • 提供高PCB板级可靠性
  • 提高表面贴装产量(vs. 更小的球包)
  • 提供更好的散热

球数低(与153球相比).MMC JEDEC-standard)

  • 允许更容易,低成本的PCB布线
  • 降低封装和PCB成本

100球图案包含12个机械支撑球(每个角3个)

  • 提供出色的PCB板级可靠性
  • 允许灵活的“大包装尺寸”变化

柔性球体设计

  • 允许未来的e。.MMC功能升级和下一代技术

如何从Micron e迁移.MMC 4.4 to 4.41?

美光(Micron)已经完成了EOL.MMC 4.4 offering. 请参考您的AE以获得支持. 专门的技术说明”TN-FC-08:从Micron v迁移. 4.4 e.MMC to 4.41 e.MMC,可供查阅.

是否可以从e执行系统引导.MMC?

Yes, e.MMC提供了两个引导分区,以提供对引导代码的快速访问,从而改进系统引导时间. 从引导分区引导可以在50ms内提供对存储数据的访问, 而从用户区启动可能需要数百毫秒. However, 为了利用引导分区, 芯片组必须能够支持从引导分区引导. 请与您的芯片组供应商联系,以了解是否从e启动.支持MMC引导分区.

Does Micron e.MMC支持掉电保护?

Yes, ESG e.MMC设备支持静态数据保护. 设备以COMBO的形式从美光工厂发货,配置经过优化以获得最佳写入性能. 客户可以重新配置设备,以便在写操作过程中断电时保护静态(先前写入的)数据.

JEDEC规范中提到的增强技术特性是什么, 好处是什么?

可以将部分或全部MLC用户空间配置为伪slc. 与MLC NAND相比,该分区具有更好的可靠性、耐用性和性能.

我可以在e中设置分区吗.MMC,以适应不同的使用模式?

The e.MMC规范允许客户将用户数据区配置为最多四个独立的分区,每个分区都可以配置为MLC(默认)或增强模式(pSLC)。. 增强模式提供了更好的可靠性,以换取两倍于MLC的空间.

有关更多信息,请参阅“TN-FC-40:嵌入式.MMC配置"

e所需的软件支持是什么.MMC?

e.MMC驱动程序通常在市场上可用,因为它是一个行业标准沙巴体育结算平台.

eUSB (7)
What is eUSB?

嵌入式通用串行总线(eUSB)是一种基于NAND闪存的存储解决方案,符合USB行业标准. USB是一种广泛采用的接口,可以跨多个平台和操作系统使用, 提供低成本, 有效的数据传输解决方案,为当前的应用程序和超越.

eUSB有什么好处?

eUSB是一个完全管理的解决方案,利用NAND存储器和, 通过板载控制器, 内部处理所有媒体管理和ECC控制. eUSB为客户提供了一个完整的存储解决方案,可以轻松集成到他们的系统和设备中, in turn, 缩短了上市时间.

使用本机SLC NAND存储器, 结合了丰富的管理功能,如全局磨损均衡和动态数据刷新, eUSB提供了性能和可靠性的卓越组合.

eUSB如何连接到我的系统板?

eUSB设备有一个10针(2x5) USB母连接器,与大多数主板上的工业标准10针连接器兼容. PCB上还提供了一个安装孔(直接连接到内部接地),以确保与系统板的稳定连接.  PC板上的额外孔, 在制造过程中用于去镶板, 如果需要,也可以用作附加安装位置吗.

我可以使用eUSB作为启动设备吗?

Yes. 美光的eUSB可以用作操作系统启动和主存储设备. However, 应用程序的BIOS必须支持启动模式特性, 对于大多数在过去五年中生产并支持USB 2的系统来说,这应该不是一个问题.0. 在主存储器或引导模式下, eUSB应该被识别为系统中的固定硬盘驱动器.

美光有提供3的eUSB吗.3V option?

Yes. 请查看 part catalog 美光目前的eUSB沙巴体育结算平台.

美光是否为我提供了一种方法来确定设备的剩余使用寿命?

我们最新一代的eU500, eUSB 3.沙巴体育结算平台确实提供了一种通过使用SMART命令提取相关寿命数据的方法. However, 前几代eUSB沙巴体育结算平台不支持收集生命周期数据的运行时方法.

eU500 (eusb3.1)完全向后兼容e230 (eusb2).0)?

Yes. 美光最新一代eU500 eUSB 3.1沙巴体育结算平台向后兼容USB 2.0 protocol. eU500系列也支持相同的外形因素, 电压和连接器沙巴体育结算平台与上一代e230相同. 请查看 part catalog 美光目前的eUSB沙巴体育结算平台.

3D NAND (4)
为什么需要3D NAND?

平面NAND闪存已接近其实际规模极限, 存储器行业面临的挑战是什么.  行业创新需要最先进的NAND技术,以实现更高的密度和更低的每比特成本. 3D NAND允许闪存解决方案继续与摩尔定律保持一致, 大大提高了NAND闪存的密度,同时降低了其成本.

是什么让这款3D NAND从业内其他沙巴体育结算平台中脱颖而出?

英特尔和美光公司开发的3D NAND技术在密度和成本上有了显著的改进, 这是第一个使用浮动栅单元的3D NAND.  这种3D NAND使闪存器件的容量比生产中的其他平面NAND芯片高三倍, 第一代NAND的设计是为了实现比平面NAND更好的成本效率. 还有各种特性可以改善延迟, 增加耐用性,使系统集成更容易.

美光的3D是一种“更智能”的NAND技术. 你是什么意思??

我们集成了各种特性,以提供改进的性能和新功能, 包括新的编程算法和电源管理模式,有助于使系统集成更容易. See FortisFlash 以了解有关这些特性的更多信息.

你们的3D NAND电池和工艺技术细节是什么?

新的3D NAND技术使用浮动栅单元和32层垂直堆叠闪存单元,以实现256Gb多级单元(MLC)和384Gb三级单元(TLC)芯片,可在标准封装中安装.

你支持小块设备吗?
目前,美光只提供大型块设备. 如需更多资料,请参阅技术说明 TN-29-07:小块vs. 大块NAND器件.
如何为NAND器件实现更大的PROGRAM/READ吞吐量?
获得美光NAND闪存器件的最大PROGRAM/READ吞吐量, 使用PROGRAM和READ缓存操作. 有关如何使用这些命令的详细信息,请参阅NAND设备数据表和我们的NAND技术说明页面.
高速NAND与传统NAND有何不同?

高速NAND可以以每秒200兆字节(MB/s)的速度读取数据,并可以以每秒100兆字节的速度写入数据. 这些速度是通过利用新的ONFI 2来实现的.0接口规范和具有更高时钟速度的四平面架构. In comparison, 传统SLC NAND读取数据的速度限制在40mb /s,写入数据的速度限制在20mb /s以下. 为了最大限度地提高高速NAND的性能优势,用户必须使用新的ONFI 2.0同步接口标准.

Nvb是如何指定的?
Nvb被指定为P/E周期规范结束时有效块的最小数量.
我需要多少ECC来支持你们的设备?
我们定义了每个512字节段的ECC要求. 由于每个单元的位数增加,MLC NAND器件比SLC NAND具有更高的ECC要求. 不同设计对ECC的要求不同,因此需要的ECC数量请参考设备数据表.
我看到很多读取干扰错误. 你能告诉我你的零件有问题吗?
当重复读取相同的数据时,会发生READ干扰. 就其本质而言,NAND技术具有非常低的读干扰错误发生率. But, 减轻由于读干扰而接收到的任何错误, 我们建议用户刷新数据,以减少读取相同数据的次数.
我正在为NAND设备使用正确数量的纠错码(ECC), 但我仍然看到我从NAND设备读回的数据中的位/字节错误.
确保在任何类型的PROGRAM或ERASE操作之后向NAND设备发出READ STATUS命令. 在PROGRAM或ERASE操作之后检查状态将报告PROGRAM或ERASE操作是否成功. 如果READ STATUS命令报告程序操作失败, 该数据应该在其他地方编程,正在编程的块应该退役. 如果READ STATUS命令报告ERASE操作失败, 该区块也应该被淘汰.
我听说NAND有太多的错误引导. Is this true?
With ECC, NAND可以实现与NOR相当的误码率(BER), 哪个是常用的启动设备. 使用NAND的应用程序通常将引导代码复制到DRAM,并从DRAM执行. 欲了解更多信息,请阅读 技术说明29-16,它是针对特定的处理器的,但这些概念可以普遍应用. TN-29-19 是沙巴体育安卓版下载NAND一般概念的非常有用的技术说明.
我应该标记块坏由于读错误?
Yes.
当我发出读取ID命令(90h)到一个双芯片NAND设备, 我得到一个设备ID,说明它是一个单芯片NAND设备.
在双晶片NAND器件中, 每个CE#上都有一个骰子, 返回的设备ID是一个die的每个CE#. 例如,具有两个CE#引脚的8Gb双晶NAND设备将在每个CE#上返回一个4Gb的设备ID. 请参阅NAND设备数据表的Read ID部分了解更多细节.
我在哪里可以找到在设备数据表中没有涵盖的沙巴体育安卓版下载美光NAND器件的其他技术信息?
其他美光NAND闪存技术信息——包括性能增强命令的详细信息——可以在NAND技术说明页面上找到.
在哪里可以找到NAND闪存设备的仿真模型?
美光发布了用于NAND器件的Verilog、HSPICE和IBIS模型. 为您的需求找到合适的模型, 请参阅适当的NAND部件目录,并选择您的设备以查看可用的型号.
为什么我得到一个位/字节错误读回的信息,我编程到NAND设备?
检查NAND设备是否使用了适当数量的纠错码(ECC). ECC阈值可以在NAND设备数据表的“错误管理”部分找到. 还要确保没有使用NAND制造商(Micron)标记的坏块. 有关如何搜索制造商标记的坏块的更多详细信息,请参阅NAND设备数据表的“错误管理”部分.
为什么NAND闪存设备不能正确响应发出给它的命令?
确保在给NAND设备上电后向该设备发出了重置命令(FFh). 在允许向NAND器件的每个有效芯片使能(CE#)发出任何命令之前,必须向该CE#发出复位命令(FFh).
显存(3)
GDDR5 (3)
图形DRAM与普通DRAM有何不同?

图形DRAM是DDR SDRAM的一个类别,设计用于处理非常大的带宽需求. 不像标准DRAM, 图形DRAM通常焊接在与SoC相同的PCB上,并且每个内存组件始终支持32个dq. 除了显卡和游戏机, 图形DRAM正用于网络等高带宽应用, 汽车和高性能计算.

与前几代图形DRAM相比,GDDR5有哪些特性和功能?

GDDR5提供更高的密度, 较低的外部电压和两倍以上的内存带宽相比,其前身, GDDR3. 与DDR3和GDDR3中的2X关系相比,GDDR5的数据速率与CK时钟之间的4X关系是唯一的.

GDDR5是GDDR3的直接替代吗?

不,由于封装大小的差异,GDDR5不是GDDR3的直接替代品. GDDR3有一个136球的BGA封装,GDDR5有一个170球的BGA封装.

GDDR5X (7)
图形DRAM与普通DRAM有何不同?

图形DRAM是DDR SDRAM的一个类别,设计用于处理非常大的带宽需求. 不像标准DRAM, 图形DRAM通常焊接在与SoC相同的PCB上,并且每个内存组件始终支持32个dq. 除了显卡和游戏机, 图形DRAM正用于网络等高带宽应用, 汽车和高性能计算.

与前几代图形DRAM相比,GDDR5X具有哪些特性和功能?

GDDR5X提供更高的密度和更低的外部电压(1.35V)与其前身GDDR5相比. GDDR5X的带宽是GDDR5的两倍(10-16 Gb/s),同时保留了传统的离散封装技术(FBGA)。.

GDDR5X能在类似gddr5的模式下工作吗?

是的,GDDR5X有两种操作模式:

  • QDR模式:支持10gb /s及以上的速度
  • DDR模式:支持0.速度2 ~ 6gb /s,兼容GDDR5

GDDR5X支持JTAG边界扫描吗?

是的,GDDR5X有IEEE 1149.1柔性边界扫描.

美光在GDDR5X上的竞争地位是什么?

美光是业界首家支持GDDR5X量产的内存供应商.

GDDR5X是JEDEC标准吗?

是的,GDDR5X SGRAM标准于2012年12月首次发布. 2015为JESD232. 最新的JEDEC版本是JESD232A.

GDDR5X取代GDDR5吗?

由于封装尺寸的差异,GDDR5X不是GDDR5的直接替代品. GDDR5有一个170球,0.8mm-pitch BGA封装,而GDDR5X有一个190-ball.65年mm-pitch包.

GDDR6 (8)
图形DRAM与普通DRAM有何不同?

图形DRAM是DDR SDRAM的一个类别,设计用于处理非常大的带宽需求. 不像标准DRAM, 图形DRAM通常焊接在与SoC相同的PCB上,并且每个内存组件始终支持32个dq. 除了显卡和游戏机, 图形DRAM正用于网络等高带宽应用, 汽车和高性能计算.

与前几代图形DRAM相比,GDDR6有哪些特点和功能?

GDDR6提供了比上一代图形内存更高的密度. 它的带宽是GDDR5的两倍,速度超过了GDDR5X. In addition, 它基于双通道架构, 这使得巨大的性能提高,同时仍然提供向后兼容GDDR5内存访问大小.

GDDR6可以在类似gddr5的模式下工作吗?

No

GDDR6可以在类似gddr5x的模式下工作吗?

Yes

GDDR6是否支持JTAG边界扫描?

是的,GDDR6有IEEE 1149.1柔性边界扫描

美光在GDDR6上的竞争地位是什么?

美光正在利用其两年多来设计的基于gddr5x的高速信号技术, 大规模生产, microgddr6沙巴体育结算平台的测试和应用学习. 这使得美光在使用传统内存组件的高速信号方面保持领先地位.

GDDR6是JEDEC标准吗?

是的,GDDR6 SGRAM标准于2017年7月首次发布,名为JESD250.

GDDR6会取代GDDR5或GDDR5X吗?

由于封装尺寸的差异,GDDR6不是GDDR5或GDDR5X的直接替代品. GDDR5有一个170球,0.8mm螺距的BGA封装,GDDR5X有190个球,0.65毫米螺距的BGA封装和GDDR6具有180球,0.75mm-pitch BGA封装.

混合存储立方体(6)
为什么美光要停止HMC?

美光不断审查沙巴体育结算平台路线图,以确保我们当前的沙巴体育结算平台组合满足当前和未来的市场需求. 自从早期引入HMC以来, 其他/替代高性能存储器已经进入市场, 推动HMC最初成功的批量项目正在走向成熟.

什么将取代HMC高端性能内存?

美光将继续为高性能应用开发和设计存储器. GDDR有路线图支持,并在这个领域继续增长. 美光还建立了HBM开发项目.

我如何订购上次购买的数量?

请与相应的销售团队或分销联系人合作,确保在最后一次购买日期之前将上次购买的数量传达给美光公司.

I am ramping production in 2019; how do I secure HMC for the lifetime of my product?

See above.

这是否意味着美光不再专注于网络领域?

美光是网络领域存储器的领先供应商, 我们将继续关注和评估未来的机会.

那HMCC呢?

混合存储立方体联盟(HMCC)是一个由行业领导者组成的工作组, 设计或启用HMC技术. HMCC的目标是定义行业可采用的HMC接口,并促进将HMC集成到支持开发人员的各种应用程序中, 制造商和推动者利用这种革命性的技术.

HMCC正在进行重大的探索性工作. 美光将继续为HMCC提供技术讨论和从客户互动中学习的支持/输入.

多芯片封装(8)
你有PoP的可靠性数据吗?
Yes. 我们有PoP的可靠性数据. 接触微米 了解更多信息.
用于PoP/MCP, 工厂的鉴定测试与分立元件的测试有什么不同吗?
No. PoP/MCP部件经过与分立元件相同的鉴定测试.
我怎么知道小猎犬板上零件的美光零件号?
Beagle板使用我们的NAND +移动LPDDR PoP组合部件, 密度取决于你使用的是哪种版本的小猎犬板. 在物理部分输入第二个5位字母数字代码到我们的FBGA解码器, 谁会提供给你相应的美光零件号.
我听说选择PoP/MCP解决方案比使用分立器件更昂贵, 那我为什么要用它呢?
从系统解决方案的角度来看, 因为PoP直接与处理器配对, 它消除了在PCB上布线的需要. 这为客户节省了成本,并提供了更好的信号完整性.
我们的合同制造商对PoP没有什么经验. 我们为什么要尝试新的东西?
市场正在推动对更小的PoP外形的需求, 一些合同制造商已经启用了这项技术. PoP可以帮助节省路由成本并提高信号完整性. 考虑到这些成本和性能优势, 美光建议您与您的客户经理密切合作,以确保顺利过渡到这项技术.
我们是用分立的零件设计的,但现在我们使用PoP零件. 他们似乎限制了我们能达到的速度. 有什么问题吗??
当从使用离散部件的测试转移到PoP测试时, 应该注意的是,在包含分立元件的设计中没有留下存根. 如果需要,一个0欧姆电阻可以将存储器与用于分立部件的走线隔离开来.
你们为x8 NAND和/或x16移动LPDDR提供的PoP/MCP沙巴体育结算平台是什么?
我们的标准沙巴体育结算平台是x16 NAND和x32 Mobile LPDDR. 我们也有x8 NAND和x16移动LPDDR. 要获取最新信息, 请与当地的美光技术支持联系.
什么是MCP? 什么是PoP ?? 这两种设备有什么不同?
MCP是包含多个芯片的多芯片封装,可以被任何控制器使用. PoP是MCP的一种形式,专门用于堆叠在处理器的顶部,处理器的顶部有与PoP的球体相匹配的衬垫. 因为PoP包正好堆叠在处理器的顶部, 它消除了在PCB上布线的需要,并提供更好的信号完整性. 针对不同的处理器设计了不同的PoP封装. PoP和MCP器件使设计人员能够利用z空间,并提供灵活性,在一个封装中提供不同的逻辑(例如, NAND +移动LPDDR或e.MMC™+ NAND +移动LPDDR. 我们有广泛的沙巴体育结算平台选择,以满足客户的需求.
固态存储(1)
我可以买一个个人用的美光固态硬盘吗?

我们通过我们的关键品牌直接向消费者销售固态硬盘(和内存). 关键的固态硬盘提供同样的高质量, reliability, 和性能, 而是包装起来供消费者销售的. 你今天就可以买到 crucial.com/ssd.

高级计算解决方案(4)
入门(3)
我该如何开始使用你的系统?

我们所有的ACS硬件都带有一个安装文件. 只需打印出“入门”文件并按照说明操作即可. 包含的c++ API源文件包含一个PicoDrv,它代表一个FPGA.

如何与主机处理器连接?

你的接口就像其他使用PCIe的系统一样® add-in cards.

如何使用多个模块?

Our PicoFramework 提供对所有基本FPGA功能的访问,而不考虑模块的数量. 软件API包括一个名为PicoDrv的源文件, 它为系统中的每个FPGA模块创建一个PicoDrv对象, 使FPGA模块通信简单.

fpga编程(3)
我如何将我的位文件上传到系统中的FPGA?

Our PicoFramework 提供对系统中所有基本FPGA功能的访问. 在为FPGA构建配置文件时, picframework软件将是顶级的, 您的模块将在框架内实例化. 为系统中的每个FPGA创建一个PicoDrv对象.

背板安装模块的加载机制是什么?

ACS模块的编程是通过PCIe完成的® bus. Our EX-700 and EX-750 背板包括一个Spartan-6 FPGA,用于利用API调用加载ACS FPGA模块. 我们还支持并提供通过PCIe进行DMA传输的示例.

如果我有一个大小受限的应用程序,我需要使用背板吗?

Our EX-700 and EX-750 当使用美光的ACS FPGA模块时,技术上不需要背板. 我们的模块可以独立运行,并将位文件编程到配置flash中, 然后加载FPGA.

设计流程(6)
我是否需要将整个应用程序迁移到美光ACS FPGA模块以实现性能优势?

No. 只需将应用程序的“热点”移动到FPGA模块,然后从主应用程序执行函数调用,主应用程序仍然在传统的基于cpu的系统上.

如何重新编译遗留的串行代码以在美光的ACS沙巴体育结算平台上运行?

为串行处理器编写的现有代码不应该重新编译以运行在高度并行的FPGA架构上,因为FPGA的许多并行优势将无法实现. In fact, fpga的时钟比cpu慢得多(一个显著的功耗优势), 所以串行代码会运行得更慢. 应该分析现有的代码,以辨别fpga的并行特性在哪里提供了最大的好处, 并且只有那部分代码应该重写,以利用fpga的并行特性. 这样,就能以最小的努力获得最大的收益.

我需要使用哪些工具来利用美光的ACS FPGA模块?

The PicoFramework 不会限制您对FPGA设计工具的选择. 使用您当前用于FPGA开发的工具以及您最熟悉的工具.

美光ACS支持OpenCL吗?

Yes. 英特尔的OpenCL™和赛灵思的SDAccel都可以使用 PicoFramework. 使用您当前用于FPGA开发的工具以及您最熟悉的工具.

我需要从头开始吗?

No. 开始你自己的项目, 只需找到最适合您的通信模型和ACS模块/板的样本, 然后复制到你的工作目录. 的所有源文件 PicoFramework; you will just need to add your own code.

美光的ACS支持什么模拟器?

我们目前同时支持Xilinx® 伊斯兰教和Altera® ModelSim (Mentor的模拟器)模拟器.

HMC控制器(11)
美光®HMC控制器实现什么HMC规范?

美光的混合内存立方体(HMC)控制器实现了混合内存立方体联盟的规范1.1. 该规范对应于第二代HMC.

目前支持哪些FPGA器件?

HMC控制器支持Intel® (原阿尔特拉®) Stratix® V and Arria® 10 fpga和Xilinx® Kintex® UltraScale™和Virtex® UltraScale +™设备.

HMC控制器有什么样的接口?

HMC控制器有一个带有5个128位端口的接口,或者一个带有一个128位端口的512位axis -4接口,用于主机访问.

控制器的时钟速度是多少?

Controller

Links

Clock Speed

x8

15 Gb/s

187.5 MHz

x16

15 Gb/s

375 MHz

x8

12.5 Gb/s

156.25 MHz

x16

12.5 Gb/s

312.5 MHz

x8

10 Gb/s

125 MHz

x16

10 Gb/s

250 MHz


控制器内部的延迟是什么?

在往返事务中,RX和TX双方的HMC控制器的总组合延迟可以从100ns到700ns不等. 延迟的大小取决于控制器的配置方式和所使用的特性. For example, 如果使用多端口接口, 控制器根据HMC协议创建格式良好的数据包, 减少延迟. 512位AXI接口内置了读取数据重排序功能,因此读取的数据总是按照请求的顺序返回给用户, 导致一些数据包有更长的延迟.

链路重试特性也会增加控制器的延迟,使其达到~300ns. 该特性要求控制器在所有传入数据交付之前对其执行完整的循环冗余检查(CRC). 如果不执行此功能,控制器延迟将在~140ns至~100ns之间. 这里有几个原因,在交付之前关闭传入数据的CRC检查:

  • 如果您的应用程序体系结构(位于控制器的顶部)允许在下游解决错误. 换句话说, 控制器可以通过触发可在应用程序体系结构本身中解决的错误标志来并行地执行crc. 在这种情况下,控制器不必对数据进行门控,直到您确定数据已被接收.
  • 如果您的硬件设计有足够的余量,可以关闭重试功能,或者只保留激活错误标志但不重新训练链接的功能.

NOTE: 在罕见的重试事件中,300ns的延迟会增加一个长尾.

为什么接口宽度是640位,而不是像256、512或1024位这样的二进制倍数?

Xilinx和Altera的收发器在接收16个数据流时使用的齿轮箱略有不同, 把它们转换成640位, 用时钟速度来平衡. 越窄越好, 所以512位是一个理想的数字,因为它是一个二进制倍数, 但是在这种情况下, 控制器必须以450兆赫的频率处理, 哪个时钟运行速度太快. 另一方面,在不使时钟速率太快的情况下,650比特是尽可能窄的. 1024 bits, 哪个OpenSilicon运行了一段时间, 是不是太宽太慢了, 造成的问题比解决的问题还多. 此外,512位听起来很理想,但它不适用于数据包大小. For example, 最大的包, 128字节等于8个字节, 加上头部和尾部, 哪个是9次飞行, 哪个不能清晰地分成512位.

在控制器中是否有命令调度,还是从用户界面的角度来看是有序的?

The HMC itself may reschedule; it has enough performance to multitask, 所以它可以让请求相互传递. 这意味着请求可能会无序地返回到控制器. 如果应用程序需要,Micron可以为控制器配置逻辑来重新排序数据, 考虑您对低延迟和顺序事务的需求. 

HMC控制器使用了多少FPGA?

控制器在Altera中使用大约32,000 alm / lut和3Mb内存® and Xilinx® FPGAs.

有哪些使用控制器的设计例子?

gps已在所有HMC模块上实现,包括在您购买的电路板中. 此外,还提供了一个利用512位AXI接口的AXI HMC内存测试样例应用程序.

控制器做什么来最大化吞吐量?

HMC控制器是一个完全流水线的块,旨在最大限度地提高吞吐量. 而读和写操作都需要多个时钟周期才能完成, 控制器允许用户在HMC返回第一个响应之前发出几个读和/或写请求. 这种读写请求的流水线极大地提高了用户应用程序的内存吞吐量.

ECC是在HMC内执行还是在控制器内执行?

循环冗余校验(CRC)错误检测用于序列化/反序列化(SerDes)链路. CRC在TX报文上生成,在HMC控制器上对RX报文进行校验. 错误将触发对失败数据包的重试. HMC内存本身在内存阵列内部使用纠错码(ECC)进行错误检测和纠错.

Bare Die (3)
美光是否提供整片晶圆和单片晶圆的沙巴体育结算平台?
现在几乎所有的美光内存芯片都是整片销售的, 非单一模具(请与您当地的销售联系人查询可用性). 每批晶圆都提供晶圆图. 有关晶圆映射的更多信息,请参见 TN-00-21. (有关Aptina图像传感器模具订单的信息,请参见 aptina.com)
美光如何出货裸模沙巴体育结算平台?
微米芯片作为整片晶圆提供,并在水平晶圆托运人(“硬币堆”)或供应商箱中运输. 客户必须有一个洁净的环境来储存和拆封美光晶圆片. 有关更多信息,请参见 CSN 20:整个晶圆封装.
什么晶圆厚度选择美光提供?
标准“未接地”晶圆片厚度为200mm晶圆750µm, 300mm晶圆790µm. 美光根据沙巴体育结算平台提供额外的200mm晶圆厚度选择. 超出标准厚度的模具厚度选择请参见相应的模具数据表. 根据客户需求,美光可能会考虑加工其他厚度. 更多信息请咨询您的销售代表.
Support (2)
串行存在检测(6)
请问十六进制SPD值是否正确?
将十六进制值转换为二进制,然后将其与相应JEDEC SPD规范中相关的SPD字节进行匹配,将提供字节的用途及其设置方式的转换.
SPD值是如何确定的?
美光利用一个专有的应用程序,根据工程师的输入和规则数据库为每个零件号生成SPD值. 数据库中的规则是精心编写的,以确保遵守JEDEC SPD规范. 这个过程确保了兼容性和一致性.
JEDEC的SPD规格是什么?
模块的防雷器规格由JEDEC确定. 美光在JEDEC标准编号中使用了几种SPD规格. 21-C用于确定和生成SDRAM、DDR、DDR2、DDR3和FBDIMM模块的SPD数据. 这些规范(如果得到批准)可在以下网址向公众提供 www.jedec.org. 尚未完成或批准的规范仅供JEDEC成员使用.
SPD的缩写是什么意思?
串行状态检测
SPD数据的用途是什么?
防雷器数据代表了模块的不同电特性和物理特性. 该数据永久存储在模块上的可电擦除可编程只读存储器(EEPROM)中. BIOS (basic input/output system)通过SMBus访问防雷器信息. 然后,系统BIOS可以使用这些数据来配置系统,以优化已安装的内存.
SPD表是干什么用的?
SPD表显示了每个内存模块上EEPROM中每个字节的十六进制值.
模拟模型(22)
Verilog模型是否可用于美光模块?
可以为DDR创建Verilog模型, DDR2, 和DDR3模块,通过使用美光提供的包装器与Verilog模型的DRAM组件在您正在使用的特定模块上使用. 可配置的DIMM模型文件(ddr_dimm . xml).v, ddr2_module.V或ddr3_dimm.v)包含在DRAM Verilog模型中 .DDR、DDR2和DDR3组件下载. The readme.TXT文件包含在 .配置DIMM的型号.
奇偶校验模块可以在非奇偶校验的系统中使用吗?
美光的模块被制造成与奇偶和非奇偶系统硬件兼容. Par_in(奇偶校验)和高阶地址信号有一个弱(100K-ohm)下拉电阻,以稳定在开关点周围振荡的输入. Err_out(奇偶校验错误输出)是一个打开的漏出,应该保留为true no connect,除非在奇偶校验系统中使用. 奇偶模块上的SPD数据不反映奇偶. 在极少数情况下,非奇偶校验系统的固件或BIOS会在SPD的奇偶校验位上出错. 出于这个原因, 系统设计人员应确保非奇偶校验系统的固件期望或忽略这部分SPD数据.
美光可以提供模块连接器的模型吗?
建议从连接器制造商处获取连接器的模型,以确保准确的模型. 美光或许能提供一种简单的, 不耦合的RLC连接器模型可以原样使用,也可以创建您自己的连接器模型. 请电子邮件 DRAM Support 请求这个模型.
美光可以提供模块Gerber文件给客户吗?
As a rule, 不向客户提供Gerber和odb++文件, 因为这些文件包含了我们设计的专有信息可能会在未经我们同意的情况下被用来批量生产我们的沙巴体育结算平台. 客户通常没有理由需要Gerber文件. 提供Gerber文件给PCB生产厂家批量生产PCB. IBIS, EBD, 或者电路板文件为客户创建模型和执行信号完整性仿真提供了足够的信息.
美光是否提供Hyperlynx模型?
美光可以根据大多数模块的要求提供Hyperlynx模型. 请电子邮件 DRAM Support 根据您的要求并提供您感兴趣的模块的完整零件号. Please note, 一旦您的请求得到确认,可能需要长达两周的时间才能收到模型.
美光是否为模块提供VHDL模型?
美光不提供模块的VHDL模型. 我们将建模资源集中在更高利用率的建模标准上,例如IBIS, Verilog, and HSPICE. 然而,VHDL模型的替代方案是可用的: Denali和Synopsys都有可用的内存组件和模块模型库 Web sites. 这些EDA包可能是在没有VHDL模型的情况下创建行为模拟的另一种方法. 一些模拟器(如ModelSim)提供了双语言选项(VHDL和Verilog). 为了以这种方式进行模拟,可以在当前可用的Verilog模型周围使用VHDL包装器.
我下载的型号是否支持数据表中列出的所有驱动器强度?
要发现该型号支持的驱动强度,请执行以下操作:
- HSPICE模型:看 .Sp文件以获取有关支持的驱动器强度以及如何选择它们的信息.
- IBIS模型:对[模型选择器]部分进行文本搜索. 本节描述可以为给定输入/输出或输出缓冲区选择的驱动器强度.
我如何判断我是否有正确的IBIS或HSPICE模型用于给定的模具修正指示器?
HSPICE模型:查看自述文件中的模具修订信息.
IBIS模型:查看文件顶部的模具修订信息.
美光如何验证其IBIS和HSPICE模型的质量?
通过实验室测量来验证模型, Micron比较了几个项目, 例如输入电容, 电源和地箝位二极管特性, 输出缓冲器驱动强度, 和输出缓冲区转换速率. 新的美光模型包括一个质量报告,将模型特性与实验室测量和数据表规格进行比较.
我的仿真软件不支持IBIS 4.0及更新的标准. 如何制作美光的IBIS 4.0级模型与我的IBIS 3兼容.2-compliant模拟器?
大多数Micron模型包含的IBIS 4特有的关键字很少.0. 在许多情况下,模型可以做成IBIS 3.2-兼容一些简单的更改. 首先,将[IBIS Ver]关键字更改为3.2. 接下来,在每个[Model Spec]关键字下的“Vref”部分前面放置一个注释字符(“|”). 最后,注释掉每个[Receiver Thresholds]部分.
双等级模块比单等级模块有什么优势?
就性能和功耗而言,内存控制器有两个级别是有利的. For example, 当控制器等待一个64位字在一个秩上可用时, 第二个64位的rank可以被访问. 这种交错增加了模块的整体性能. 功率也可以在未使用的rank上降低,从而降低模块的功耗.
当模型修订号从1更改时,它表示什么.X到2.x level?
1.X水平模型表明该模型与任何实验室测量结果无关. Typically, 1.X级模型提供预硅或预生产设备. A 2.X水平模型已与实验室测量相关联.
什么是板子?.brd) file?
电路板文件是PCB的完整电气和机械表示. EBD和odb++文件是由单板文件生成的. 未经保密协议,不得向客户提供电路板文件,因为这些文件包含有关模块设计的机密和专有信息.
什么是Gerber文件?
gerber是发给PCB制造商生产PCB的文件. Gerber是一个过时的术语,因为电路板商店目前需要odb++文件来批量生产pcb. Gerber这个词使用得很松散. 它有时指的是表示PCB的电气和机械特性的任何文件, including EBD, ODB++, 和板文件. 当客户请求某个模块的Gerber文件时, 确定他们真正需要的特定文件是很重要的.
什么是“等级”??
等级通常是指系统的数据总线宽度. 这个宽度通常是64位或72位. For example, 如果将8个宽度为8位的组件安装到PCB上, 这将创建一个64位宽的模块, 允许从模块中读出64位字. 我们将其称为“单级”模块. 16个元件,每个元件宽度为8位,可以安装在PCB上形成两个, 64位宽, 创建“双等级”模块.
什么是EBD (.ebd) file?
EBD文件是用于仿真的PCB的模型. 该文件描述了PCB上引脚和走线的电气特性. 与DRAM的IBIS模型一起使用的EBD文件, registers, 和锁相环可以用来创建一个模块的模型.
什么是IBIS (.ibs) file?
An .ibbs或IBIS文件是电路的表示形式,旨在由Cadence®Allegro®或HyperLynx®等仿真应用程序读取. IBIS(输入/输出缓冲信息规范)是一个EIA(电子工业联盟)标准. IBIS是一个特定格式的文本文件,表示电流对电压和电压对电压. 电路输入和输出的时间特性. IBIS模型是向客户提供的首选文件,因为这些文件不包含有关组件内部构成的任何专有信息. IBIS文件通常不需要nda.
在一个组件中使用多个银行的优势是什么?
内存控制器可以在一个银行中开始操作,并在第一个操作完成时在另一个银行中执行单独的操作. 这种交错增加了DRAM的整体性能.
“银行”和“排名”有什么区别?"
组特定于单个DRAM组件,并参考DRAM组件内的子阵列. rank是特定于内存模块的,它指的是由多个DRAM组件组成的子阵列.
什么构成了模块的IBIS模型?
一个模块的完整IBIS模型由以下几个文件组成:

1. 特定模块上使用的DRAM的IBIS模型
2. 锁相环、寄存器和eeprom的IBIS模型(根据需要)
3. PC上电阻并联终端的IBIS模型
4. PCB的EBD (electronic board description)文件. 该文件引用了上面提到的终止的IBIS文件.

总之,这些文件提供了PCB的完整表示.
Micron建议我在内存接口上使用什么跟踪长度和终止值?
当电路板设计师在寻找CAD图纸或模拟的起点时,他们经常会问这个问题. 因为要考虑的变量太多了,所以很难给出一个“正确”的答案. Clock speed, 1T或2T计时, 已注册或未缓冲的模块, 和走线阻抗都是重要的因素. 有些控制器有片上终止,有些没有. 有些控制器有命令和地址总线的两个副本. 所有这些因素都会影响走线长度和终端,并影响如何实现可接受的信号完整性.

微米技术说明 TN-47-01, TN-47-20, and TN-46-14 可以作为一个起点吗, 但是,迹线长度和终止最终必须通过仿真和物理测试来证明. 美光为没有专业知识或资源来运行模拟的客户提供了一个在线模拟器. 在线模拟器位于美光公司的安全区域.com; visit the following URL to request access: 6yq.thuiven.net/simulators.
为什么用于DRAM组件的IBIS模型定期发布到微米.而不是模块的IBIS模型?
我们发现,根据客户的要求创建模块模型效率更高. 如果您无法找到您感兴趣的模块的IBIS模型, 请将您的要求电邮至 DRAM Support.
沙巴体育安卓版下载美光(4)
收购尔必达(3)
一般资料(5)
I currently do business with Elpida; has their employee contact information changed?

你可以继续用同样的电话号码和办公地点联系你的联系人. 您的联系人应该向您提供他们新的美光电子邮件地址,以便继续使用.

尔必达的公司名称会改变吗?

有效的2月. 28, 2014, 尔必达改名为Micron Memory Japan,尔必达秋田改名为Micron Akita, Inc.

尔必达的销售办事处或地点有变化吗?

随着我们继续将尔必达整合到美光,一些销售办事处的位置将会改变. 详情请与您当地的销售代表联系.

我在哪里可以找到更多沙巴体育安卓版下载美光/尔必达过渡的信息?

您的销售代表随时可以回答您可能遇到的任何问题,并将与您密切合作,确保所有问题都得到最大程度的定义和解决. 

I am interested in applying for a job with Micron (or the former Elpida); who do I contact?

Go to 6yq.thuiven.net/careers 申请工作.

客户服务(7)
我从美光和尔必达都买. 我现在该联系谁?

继续和以前的销售和客户服务代表一起工作. 如果对这些联系人进行更改,您将立即收到通知.

在哪里可以找到尔必达的沙巴体育结算平台?

尔必达沙巴体育结算平台相关信息已集成到www.elpida.thuiven.net. 使用这些有用的提示来识别尔必达零件和导航我们的扩展零件目录:

  • 所有尔必达的零件编号都以字母“E”开头.”
  • 尔必达零件出现在零件目录的开头,因为零件列表是根据零件编号按字母顺序排序的.
  • Part catalogs are sortable; use the filter at the top of the part catalog to narrow down part listings based on technology, density, 或者其他特征.
  • Refer to the 尔必达零件编号指南 了解更多沙巴体育安卓版下载解码尔必达零件号的信息.

以前的尔必达沙巴体育结算平台线会有新的零件号吗?

订购部件号将更改为包括包装介质指示器(磁带) & 卷轴或托盘). 2013年12月发布了沙巴体育结算平台变更通知. 如果您有任何其他问题,请联系您的销售代表.

从哪里可以获得尔必达沙巴体育结算平台的数据表和沙巴体育结算平台支持信息?

尔必达零件信息, 包括访问尔必达特定的零件目录和数据表, visit thuiven.net/elpidaparts.

尔必达沙巴体育结算平台的标识和标签是否会发生变化?

目前,尚无计划更改尔必达品牌沙巴体育结算平台的标识或零件标记. 如果有任何变化, 美光将努力将任何对客户的影响降到最低,并将利用适当的渠道将这些变化告知客户.

如果我正在对美光/尔必达零件进行资格鉴定,我应该怎么做?

继续任何正在进行的资格认证, 除非您的客户支持团队另有通知. 如果您对支持或资格有疑问, 请依靠现有的美光或尔必达技术联系人获取信息.

I am currently buying Elpida products from a distributor; where do I go now for products?

美光对其分销网络进行了更改. 有关美光授权经销商的完整列表,请参阅 美光授权经销商名单. 美光授权经销商将同时销售美光和尔必达的沙巴体育结算平台. 如果您对订购沙巴体育结算平台有任何疑问或问题,请发送电子邮件至 distribution@thuiven.net; and we will ensure that someone assists you. If over time, 美光决定进一步改变其分销网络, 我们将积极配合分销商和客户的供应链需求.

供应商(3)
尔必达/Rexchip的采购订单、发票将如何处理 & 支付系统/流程?

  • 业务系统迁移到美光的SAP采购环境.
  • 采购订单的布局和编号将从2014年3月开始改变.
  • 将为2月11日之间的尔必达/Rexchip开放式采购订单创建替代美光的采购订单. 2014年3月28日至2014年3月7日,并将参考原尔必达/Rexchp采购订单号.
  • 美光采购订单上的账单地址可能与以前的尔必达/Rexchip地址不同. 2014年2月的第一周,Elpida/Rexchip的供应商收到了一封包含新法人实体和账单地址的信件.

尔必达与供应商之间的协议和合同将如何处理?

  • 对每个尔必达法人实体有效的第三方协议将被分配给美光和/或最终终止. 将联系受影响的供应商.
  • 美光的核心团队和前尔必达团队成员正在努力解决这些协议. 预计不会有任何变化,但如果协议受到影响,美光可能会与您联系.

我与美光、尔必达和/或Rexchip都有业务往来,我们将使用什么条款和条件?

美光的条款和条件将适用于所有购买. 通常这些都包含在采购订单中. 对于美光存储器日本公司来说,它们通常包含在主购买协议中. However, 如果你已经和尔必达签订了协议, in general, 其中包含的条款和条件将继续适用,直到该等协议被修改或其期限结束.

基础(6)
美光是否捐赠内存或设备?
我们目前还没有合适的机制来捐献内存. 有时我们有半导体设备可以捐赠给我们的 大学的合作伙伴.
我如何申请社区/K-12补助金?
Go to the "社区赠款页面下载应用程序和说明.

按照指示,向美光基金会提交所有必要的表格和信息.

我们不能考虑不完整的提案或不属于我们主要资助领域的计划/项目.
如何申请高等教育资助?
高等教育资助申请只接受邀请. 讨论一个想法,请联系Janine Rush-Byers,电话:(208)363-3675.
我如何有资格获得社区或K-12奖助金?
您必须位于制造站点社区:美国.S. 组织必须设在博伊西附近, ID; organizations near Micron's Manassass, VA; International organizations must be located near Singapore or Avezanno, Italy.

请与 微米的基础 如果你不确定你的资格.

你必须证明你是非营利性的. 必须提交一份完整的申请. 请参阅下面的部分. 优先考虑那些专门针对推进科学、数学和技术的项目.
我的大学是如何参与进来的?
学校可以以不同的层次参与这些项目,从个别项目到多层次参与的战略合作伙伴关系. 一所学校的参与程度取决于美光与每所大学感兴趣的院系之间的契合程度和共同兴趣.

探索你们部门参与的可能性, 联系美光大学关系经理 university_relations@thuiven.net.
我应该联系谁来讨论奖助金的想法?
当地社区和K-12补助金,请联系Kami Faylor (208) 363-3675

高等教育补助金,联系Janine Rush-Byers (208) 363-3675
绿色工程(10)
美光的无铅沙巴体育结算平台符合rohs标准吗? 5/6 RoHS是什么意思?
Yes. 指令2011/65/EU(取代指令2002/95/EC), 限制在电气及电子设备内使用某些有害物质(RoHS), 会影响美光的半导体沙巴体育结算平台吗. 本指令的目的是限制在电气和电子设备中使用某些有害物质,保护人类健康和环境. 美光的沙巴体育结算平台一直符合5/6 RoHS标准, 这意味着它们含有铅焊料, 但在其他方面符合RoHS规定(符合六项规定中的五项). 美光的无铅沙巴体育结算平台完全符合RoHS标准.

美光的符合RoHS标准的模块级沙巴体育结算平台确实含有电子部件,可以在指令2011/65/EU豁免的应用中使用Pb(见第4条), Annex 3). 欲了解更多信息,请与您的销售/市场代表联系.

在环境总局下分发的欧洲委员会常见问题单可作为正式(但不具有法律约束力)参考点.
美光的无铅沙巴体育结算平台是否符合中国RoHS报告要求? 美光是否在沙巴体育结算平台上标注了环保使用期限?

美光的无铅组件, die, 硅片级沙巴体育结算平台不含中国RoHS限制的六种物质中的任何一种. 美光的模块在未获豁免和获豁免的欧盟RoHS应用中可能含有Pb(市场上没有可靠的无Pb替代品).

美光的沙巴体育结算平台并不直接销售给消费者. EPUP和其他标记和标签要求仅适用于直接在消费者市场上销售的沙巴体育结算平台. 欲了解更多信息,请联系您的销售/市场代表.

这些物质并不是美光在生产过程中有意添加的,但在用于生产成品的原材料中可能存在微量物质.

美光是否了解REACh要求?
美光完全了解来自法规2006/1907/EC的沙巴体育结算平台要求, Registration, Evaluation Authorization和 Restriction of Chemicals. 美光不断监控新增加的候选名单,并及时核实 Substance of Very High C关注用于生产过程和对最终沙巴体育结算平台的潜在影响. 美光致力于向客户提供其沙巴体育结算平台中所含物质的相关信息. 如需任何文件,请与您的销售代表联系.
美光如何定义绿色沙巴体育结算平台?
除符合RoHS标准外, 美光的绿色包装中不含有已被认定对环境有害或已知会造成严重可靠性问题的物质:溴, chlorine, 含锑物质, 无机红磷. 这些物质不是有意添加到包装材料(如密封剂)中的, 模具贴附材料, 未充满环氧树脂, 和基质. 以下列出了美光绿色包装中允许的这些物质的最大痕量.

<900 ppm Chlorine
<900 ppm Bromine
<1500 ppm Chlorine & Bromine
<900 ppm Antimony
<100 ppm Red Phosphorus

请注意,虽然我们的无铅和绿色沙巴体育结算平台不含任何故意添加的铅, 我们的无铅部件不一定是绿色的, 因为它们可能含有卤素或锑化合物.

*这些物质不是美光在生产过程中有意添加的,但在用于生产成品的原材料中可能存在微量物质.
美光是否仍在生产符合RoHS 5/6标准的零件?
是的,随着我们的无铅沙巴体育结算平台线,美光也支持RoHS 5/6沙巴体育结算平台. 我们承认某些申请是免除的 RoHS指令.
我在哪里可以找到美光的绿色和RoHS沙巴体育结算平台的零件号?
美光的全系列符合RoHS标准的存储器沙巴体育结算平台可以在每种沙巴体育结算平台类型的零件列表表中找到. 要对单个零件号执行快速符合性检查,请使用“零件号搜索”工具. 有关绿色沙巴体育结算平台的信息,请联系当地的美光销售代表.
如何获得美光的RoHS符合性证书?
您可以通过导航到部件详细页面或使用主要沙巴体育结算平台族导航来查找特定部件的RoHS符合性证书.                       
美光的绿色沙巴体育结算平台如何符合国际标准?
美光的绿色工程项目符合rohs标准,并符合世界上大多数新兴的环境标准, 包括亚洲和欧洲.
美光在其无铅半导体中使用了什么材料?
  • 焊锡球, 美光正在用锡(Sn)取代锡铅合金(Sn36Pb2Ag或Sn37Pb)。, silver (Ag), 铜(Cu)合金(e.g., sac105, sac305, sac405, lf35).
  • 对于模块上的锡膏,美光正在用Sn3取代Sn37Pb.8Ag0.7Cu.
  • 对于含铅TSOP,美光正在用哑光镀锡取代90Sn10Pb.
这些替代确保美光的无铅部件符合rohs标准. 部件的表面安装温度认证为260°C.
美光何时才能完成从无铅沙巴体育结算平台到绿色沙巴体育结算平台的过渡?
美光目前可以为有需求的客户提供无铅环保沙巴体育结算平台. 这些沙巴体育结算平台的供应很大程度上取决于顾客的需求, 以及“绿色”非内存组件和材料的可用性.

有关更多信息,请联系您当地的美光销售代表(查看区域销售代表) 销售网络 page).
Iso 14001 (5)
美光是否通过ISO 14001认证?
1997年2月,美光科技有限公司., 贵公司是美国首批获得新的iso14001环境管理体系标准认证的公司之一吗. 美光被KEMA注册质量公司选中.美国是ANSI-RAB国家认证计划的试点参与者,也是美国五家认证机构之一.S. 参与该项目的试点公司.
认证的基本要素是什么?
iso14001认证要求符合以下四个基本要素:
  • 实施环境管理体系
  • 确保程序已就位,以保持符合适用的法规
  • 承诺持续改善
  • 致力于全面防治污染
什么是iso14001?
iso14001是自愿性的国际环境管理标准, 如何确保组织拥有有效的环境体系. 它在环境方面相当于iso9000质量标准. 许多国家和公司已经在世界范围内实施了iso9000质量标准.
Who认证Micron?
在iso14000过程中, 公司的环境管理系统由第三方注册机构审核. 美光由KEMA注册质量公司审核. KEMA是一家通过ISO 9000认证的全球全方位服务第三方注册商, QS9000, ANSI-RAB和RvA的iso14001标准, 同时也是电子沙巴体育结算平台营销多个领域的“公告机构”, 欧盟强制性沙巴体育结算平台认证. KEMA在全球拥有数以千计的客户,包括各种各样的沙巴体育结算平台和服务行业. KEMA专注于电子、信息技术和高科技制造领域.
为什么美光获得认证?
美光在环境合规和保护方面采取了非常积极主动的方法,为我们的员工服务, 我们的客户, 以及我们运营所在的社区. 我们为我们的环境和工人安全计划感到自豪. 我们认为遵守最低限度的规定, 作为一个基准和工作总是优于最低规定要求. iso14001非常适合我们的公司和文化. 制定环境管理标准背后的主要力量是对环境管理和问责制的渴望. iso14001体现了一种方法, 它超越了法规遵从性,并挑战组织评估其环境计划, 不断提高, 并致力于有效的流程和污染预防. 美光已经具备了符合ISO 14001标准所需的大部分要素. 我们认为这是一个让我们的承诺得到认可的机会, 努力程度, 以及成就记录.
Other (2)
一般沙巴体育结算平台(5)
IT部件的热信息会改变吗?
热信息包括温度极限和热阻抗值. IT部件(TC)的温度限制确实会发生变化, TJ, and TA), 热阻抗值为θJA, θJB, 和θJC)则不会,因为热阻抗主要取决于封装.
我的设计是基于一个说明JTAG相对于VDD(1)的规范.8V),但是现在我们已经发现JTAG实际上是相对于VDDQ (1.5V). It’s a fairly significant board spin to change this; what do I risk by leaving the design as-is? 我假设规范仍然是VDDQ + 0.3V = 1.8V,但对于CMOS部件,我无法保证它在转换时不会超过这个值.
你的特殊板设计不应该成为主要关注的原因. 无论VDDQ电压如何,引脚都可以处理VDD电压.
在我们的点对点应用中,ECC存储芯片是否应该与其他两个主要存储芯片共享芯片选择和CKE信号?
ECC芯片应该与其他设备共享相同的CKE和cs#,因为它们是作为相同的数据块访问的.
什么是“银行”?
存储库是存储位的数组. 多个阵列或组包含在一个DRAM组件中. 根据密度的不同,DRAM组件可能由4或8组组成. 例如,一个银行可能包含3200万行,每行4位. 这相当于128兆比特. 在一个DRAM组件中包含四个这样的存储库将产生一个512Mb的组件.
在匹配阻抗模式下,驱动器的阻抗容差相对于基于连接到ZQ引脚的完美参考电阻的期望值是多少?
驱动器的阻抗容限为±15%.
ONFI (4)
你们的NAND部件是否符合onfi标准?
我们所有50系列及以上的NAND器件都符合onfi标准.
ONFI将如何帮助加快nand沙巴体育结算平台的上市时间?
ONFI主要通过两种方式缩短沙巴体育结算平台上市时间: 
1. 它通过改善与NAND组件的接口行为的均匀性,简化了支持一系列组件的Flash控制器的设计. 
2. 它减少了最终用途应用中闪存组件的设计时间,并且无需更改设计或固件即可使用新一代NAND组件.
What is ONFI?
ONFI代表Open NAND Flash接口. ONFI是一个致力于简化NAND闪存与消费电子沙巴体育结算平台集成的行业工作组, 计算平台, 以及其他各种需要固态大容量存储的应用. ONFI工作组为NAND闪存定义了标准化的组件级接口规范. ONFI还为NAND闪存定义模块连接器和模块外形规格(类似于DRAM内存). 欲了解更多信息,请访问 www.onfi.org.
什么类型的沙巴体育结算平台将ONFI 2.我第一个被看见?
ONFI提高了Flash组件在一系列沙巴体育结算平台中的嵌入式集成, 包括许多现在使用Flash的人, 比如手机, PDAs, MP3 players, and notebooks. 然而,很可能ONFI 2的好处.1将首先在PC平台实现. 因为它的速度比ONFI 2快得多.1 delivers, ssd和缓存解决方案将能够为PC平台的工作负载带来实质性的好处.
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